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에너지뉴스
| 제목 | 중국) 인듐 산화물 완충층을 기반으로 하는 페로브스카이트-실리콘 탠덤 태양광 패널은 30.04%의 효율을 달성 | ||
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| 국가 | [중국] | 출처 | PV Magazine |
| 산업구분 | [태양에너지] | 등록일 | 2024.11.21 |
| 구분 | 기술 | ||
중국 연구진이 인듐 산화물 완충층을 사용한 페로브스카이트-실리콘 탠덤 태양광 패널을 개발하여 30.04%의 효율을 달성함 이 태양광 패널은 423시간의 연속적인 빛 아래에서도 초기 효율의 약 80%를 유지할 수 있음 기사 원문 발췌
제목 :
Perovskite-silicon tandem solar cell based on indium oxide buffer layer achieves 30.04% efficiency 발췌 내용 :
Researchers in China have fabricated a perovskite-silicon tandem solar cell that utilizes an indium oxide sputtering buffer layer to protect the perovskite absorber and the electron transport layer from potential damages arising from the electrode deposition process. The new layer not only ensured this protection but also showed strong optical and electrical properties.
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| 원문 링크 | https://www.pv-magazine.com/2024/11/20/perovskite-silicon-tandem-solar-cell-based-on-indium-oxide-buffer-layer-achieves-30-04-efficiency/ | ||