에너지원별 주요 특허
| 특허명 | 중국) Solar cell and photovoltaic module | ||
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| 국가 | [중국] | 출원인 | ZHEJIANG JINKO SOLAR CO., LTD.(CN), JINKO SOLAR CO., LTD.(CN) |
| 우선권 번호 | CN 2022-11098333 | 우선일 | 2022.09.08 |
| 출원번호 | EP 2022-204989 | 출원일 | 2022.11.02 |
| 등록번호 | EP 4336574 B1 | 특허 등록일 | 2025.06.04 |
| 패밀리특허 | US 12191408 B2, JP 2024-038964 A, EP 4336574 B1, DE 20-2023-101309 U1, CN 117673176 A, AU 2024201762 B9, AU 2022263498 B1, NL 2034429 B1 | IPC | H10F-010/166 | 산업구분 | [태양에너지] | 등록일 | 2025.11.27 |
본 개시내용의 실시예는 태양 전지 분야에 관한 것으로, 특히 태양 전지 및 광기전 모듈에 관한 것이다. 본 발명의 실시예에 따른 태양 전지는, 서로 반대된 전면 및 후면을 가지는 기판, 상기 기판으로부터 멀어지는 제1 방향으로 상기 기판의 전면 위에 차례로 형성되어 있는 제1 터널층 및 제1 도핑 도전층을 포함하고, 상기 제1 터널층 및 상기 제1 도핑 도전층은 각각 상기 전면 위의 금속 패턴 영역에 정렬되어 있고, 상기 제1 도핑 도전층은 상기 기판 내의 도핑 원소와 동일한 타입의 제1 도핑 원소를 포함하고, 상기 제1 방향과 반대인 제2 방향으로 상기 기판의 후면 위에 차례로 형성되어 있는 제2 터널층 및 제2 도핑 도전층을 포함하고, 상기 제2 도핑 도전층은 상기 제1 도핑 도전층에 상기 제1 도핑 원소와 다른 타입의 제2 도핑 원소를 포함하고, 상기 제1 도핑 도전층에 대한 라만 스펙트럼의 제1 피크 부근의 반치폭은 상기 제2 도핑 도전층에 대한 라만 스펙트럼의 제1 피크 부근의 반치폭보다 크지 않다. 본 발명의 실시예는 태양 전지의 광전 변환 성능을 향상시키는데 도움이 된다. 특허 원문 발췌
제목 :
Solar cell and photovoltaic module 독립항 :
A solar cell, comprising: a substrate (100) having a front surface and a rear surface opposite to each other, the front surface including a metal pattern region and a non-metal pattern region; a first tunnel layer (110) and a first doped conductive layer (120) sequentially formed over the front surface of the substrate (100) in a first direction away from the substrate (100), wherein the first tunnel layer (110) and the first doped conductive layer (120) are each only in the metal pattern region, and the first doped conductive layer (120) comprises a first doping element of a same type as that of a doping element in the substrate (100); and a second tunnel layer (140) and a second doped conductive layer (150) sequentially formed over the rear surface of the substrate (100) in a second direction opposite to the first direction, wherein the second doped conductive layer (150) comprises a second doping element of a different type from that of the first doping element in the first doped conductive layer (120), and characterized in that a full width at half maximum of a first peak of a Raman spectrum for the first doped conductive layer (120) is smaller than a full width at half maximum of a first peak of a Raman spectrum for the second doped conductive layer (150), and a crystallite size of the first doped conductive layer (120) is larger than a crystallite size of the second doped conductive layer (150). |
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| 원문 링크 |
https://patents.google.com/patent/EP4336574B1/en?oq=EP+4336574+B1
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