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에너지원별 주요 특허

특허명 중국) Solar cells and photovoltaic modules
국가 [중국]  출원인 JINKO SOLAR HOLDING CO LTD(CN)
우선권 번호 CN 2022-10606614 우선일 2022.05.31
출원번호 CN 2022-11029643 출원일 2022.05.31
등록번호 CN 115274875 B 특허 등록일 2025.03.18
패밀리특허 US 12166140 B2, JP 7389861 B1, EP 4287268 A1, DE 20-2023-101112 U1, CN 115274875 B, CN 114709277 B, AU 2022209315 B2, NL 2034327 B1 IPC H10F-077/30 H10F-010/00
산업구분 [태양에너지]  등록일 2025.11.27
본 출원은 태양 전지 및 광전지 모듈에 관한 것으로서, 상기 태양 전지 및 광전지 모듈은, 서로 대향되게 설치된 전면과 후면을 포함하는 반도체 기판; 상기 반도체 기판의 전면에 위치한 에미터와 전면 패시베이션층; 및 상기 반도체 기판의 후면에 위치한 터널링층, 도핑 도전층 및 후면 패시베이션층을 포함하고, 도핑 도전층은 후면 금속화 영역에 대응되는 제1 도핑 도전층 및 후면 비금속화 영역에 대응되는 제2 도핑 도전층을 포함하며, 제1 도핑 도전층의 산소 함량은 제2 도핑 도전층의 산소 함량보다 작고, 에미터와 접촉하는 전면 전극 및 제1 도핑 도전층과 접촉하는 후면 전극을 포함한다. 본 출원은 제1 도핑 도전층의 산소 함량을 제2 도핑 도전층의 산소 함량보다 작게 제어함으로써, 금속 복합 중심을 낮추고, 패시베이션 효과를 향상시킴과 동시에, 금속 영역이 도핑된 다결정 실리콘이 더 좋은 전도성을 갖도록 하여, 태양 전지의 전환 효율을 향상시킬 수 있다.
특허 원문 발췌
제목 :
Solar cells and photovoltaic modules
독립항 :
A solar cell, characterized in that it comprises:a semiconductor substrate, wherein the semiconductor substrate comprises a front and a back side of the relative setting;an emitter and a frontal passivation layer positioned at the front side of the semiconductor substrate;tunneling layer, doped conductive layer and backside passivation layer located at the back of the semiconductor substrate, wherein the doped conductive layer comprises a first doped conductive layer corresponding to the metallization region on the back side and a second doped conductive layer corresponding to the non-metallized region on the back surface, the oxygen content of the first doped conductive layer is less than the oxygen content of the second doped conductive layer, the content of oxygen element in the first doped conductive layer is 19%~22%, and the content of oxygen element in the second doped conductive layer is 27%~28%; the first doped conductive layer and the second doped conductive layer are both phosphorus doped layers, and the concentration of phosphorus elements in the first doped conductive layer is greater than the concentration of phosphorus elements in the second doped conductive layer;a front electrode in contact with the emitter and a back electrode in contact with the first doped conductive layer.
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