세계에너지시장정보 통합검색
에너지원별 주요 특허
| 특허명 | 독일) Back-contact solar cell, and production thereof | ||
|---|---|---|---|
| 국가 | [독일] | 출원인 | EnPV GmbH(DE) |
| 우선권 번호 | DE 10-2020-132245 | 우선일 | 2020.12.04 |
| 출원번호 | EP 2021-830410 | 출원일 | 2021.12.03 |
| 등록번호 | EP 4256619 B1 | 특허 등록일 | 2025.01.29 |
| 패밀리특허 | WO WO2022/117826 A1, US 2023-0335663 A1, TW 202224200 A, KR 2023-0052981 A, JP 7492087 B2, IN 202317015281 A, EP 4256619 B1, DE 10-2020-132245 A1, CA 3190022 A1, AU 2021393000 B2, MX 2023006121 A | IPC | H01L-031/0224 H01L-031/0745 | 산업구분 | [태양에너지] | 등록일 | 2025.11.27 |
본 발명은 후면 접촉 태양 전지(10)를 제조하기 위한 방법, 및 전면(16) 및 후면(14)을 포함하는 반도체 기판(12), 특히 실리콘 웨이퍼를 포함하는 후면 접촉 태양 전지(10)에 관한 것으로, 태양 전지(10)는 제1 극성의 전극(36) 및 후면 상의 제2 극성의 전극(38)을 포함하고, 제1 극성의 전극(36)은 제1 극성의 고농도로 도핑된 규소 층(20) 상에 위치되고, 고농도로 도핑된 규소 층(20)은 반도체 기판 상에 위치된 제1 패시베이션 층(18) 상에 위치되고, 제2 극성의 전극(38)은 반도체 기판(12)의 제2 극성의 고농도로 도핑된 베이스 영역(30)을 통해 반도체 기판(12)에 직접 전기적 및 기계적으로 접촉하는 것을 특징으로 한다. 특허 원문 발췌
제목 :
Back-contact solar cell, and production thereof 독립항 :
Back-contact solar cell (10) comprising a semiconductor substrate (12), in particular a silicon wafer, comprising a front side (16) and a back side (14), the solar cell (10) comprising electrodes (36) of a first polarity and electrodes (38) of a second polarity on the back side, the electrodes (36) of the first polarity being arranged on a highly doped silicon layer (20) of the first polarity, the highly doped silicon layer (20) being arranged on a first passivation layer (18) arranged on the semiconductor substrate, and the electrodes (38) of the second polarity directly electrically and mechanically contacting the semiconductor substrate (12) via highly doped base regions (30) of the second polarity of the semiconductor substrate (12), characterized in that the highly doped base regions (30) of the second polarity are formed within doped base regions (24) of the second polarity on the back side (14) of the solar cell (10), a dopant concentration in the highly doped base regions (30) being higher than a dopant concentration in the doped base regions (24), and the dopant concentration in the highly doped base regions (30) being higher than a dopant concentration of a doped region (28) on the front side (16) of the solar cell (10). |
|||
| 원문 링크 |
https://patents.google.com/patent/EP4256619B1/en?oq=EP+4256619+B1
* 이 링크를 클릭하면 외부 사이트로 연결됩니다. |
||