에너지원별 주요 특허
| 특허명 | 중국) Solar cell, manufacturing method thereof, and photovoltaic module | ||
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| 국가 | [중국] | 출원인 | Shanghai Jinko Green Energy Enterprise Management Co., Ltd.(CN), Zhejiang Jinko Solar Co., Ltd.(CN) |
| 우선권 번호 | CN 2021-10895225 | 우선일 | 2021.08.04 |
| 출원번호 | EP 2021-194044 | 출원일 | 2021.08.31 |
| 등록번호 | EP 4131425 B1 | 특허 등록일 | 2025.06.11 |
| 패밀리특허 | H10F-077/70 H10F-077/30 H10F-071/00 | IPC | US 12514021 B2, US 12132138 B2, US 11929449 B2, US 11843071 B2, US 11824136 B2, US 11581454 B1, JP 2025-041865 A, JP 7612780 B2, JP 7331232 B2, JP 7174188 B1, JP 7082235 B1, EP 4535961 A2, EP 4372829 B1, EP 4131425 B1, DE 20-2021-004469 U1, DE 20-2021-004467 U1, CN 115528121 B, CN 115020503 B, AU 2024287247 A1, AU 2024264689 B2 | 산업구분 | [태양에너지] | 등록일 | 2026.01.26 |
본 발명은 태양전지, 그 제조 방법 및 광전 모듈을 제공한다. 태양전지는 반도체 기판을 포함하며, 상기 반도체 기판의 후면은 제1 텍스처 구조를 가지며, 상기 제1 텍스처 구조는 상기 후면으로부터 멀어지는 방향 및 상기 후면에 수직인 방향으로, 가장 바깥쪽 제1 서브구조의 상면과 인접한 제1 서브구조의 상면 사이의 거리가 2 µm 이하인 것을 특징으로 한다. 또한, 상기 반도체 기판의 전면에는 제1 패시베이션 층; 제1 텍스처 구조 상에 형성된 터널 산화막 층; 상기 터널 산화막 층의 표면에 형성된 도핑된 전도성 층; 및 상기 도핑된 전도성 층의 표면에 형성된 제2 패시베이션 층을 포함한다. 특허 원문 발췌
제목 :
Solar cell, manufacturing method thereof, and photovoltaic module 독립항 :
A solar cell, comprising: a semiconductor substrate (10), wherein a rear surface of the semiconductor substrate (10) has a first texture structure (12), the first texture structure (12) has a non-pyramid-shaped microstructure and includes two or more first substructures (121) at least partially stacked on one another, and in a direction away from the rear surface and perpendicular to the rear surface, a distance between a top surface of an outermost first substructure (121) and a top surface of an adjacent first substructure (121) is less than or equal to 2 µm, and a one-dimensional size of the top surface of the outermost first substructure (121) is less than or equal to 45 µm, wherein the top surface of the first substructure (121) has a polygonal shape; a first passivation layer (20) located on a front surface of the semiconductor substrate (10), wherein the front surface of the semiconductor substrate (10) has a second texture structure (11), the second texture structure (11) has a pyramid-shaped microstructure, a doped layer is formed on the second texture structure (11), and the first passivation layer (20) is formed on the doped layer; a tunnel oxide layer (30) located on the first texture structure (12) of the rear surface of the semiconductor substrate (10); a doped conductive layer (40) located on a surface of the tunnel oxide layer (30), a conductivity type of doping elements of the doped conductive layer (40) being same as that of the semiconductor substrate (10); and a second passivation layer (50) located on a surface of the doped conductive layer (40). |
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| 원문 링크 |
https://patents.google.com/patent/EP4131425B1/en?oq=EP+4131425+B1
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