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에너지원별 주요 특허

특허명 중국) Photovoltaic cells and their manufacturing methods, stacked cells and photovoltaic modules
국가 [중국]  출원인 JINKO ENERGY HAINING CO LTD(CN)
우선권 번호 - 우선일 -
출원번호 CN 2025-12018753 출원일 2025.12.30
등록번호 CN 121442829 B 특허 등록일 2026.04.17
패밀리특허 - IPC H10F-071/00 H10F-077/20 H10K-039/15 H10K-039/18 H10K-071/00
산업구분 [태양에너지]  등록일 2026.04.27
본 개시는 태양광 분야에 관한 것으로, 태양광 전지 및 그 제조 방법, 적층 전지 및 태양광 모듈을 개시한다. 제조 방법은 포함하는 것으로, 상대적인 두 표면면을 갖는 전지 기판을 제공하고; 적어도 하나의 표면면에 시드 층을 형성하며;시드층이 형성된 표면 측에 제1 슬러리를 도포하는 단계, 여기서 제1 슬러리는 제1 전도성 입자와 제2 전도성 입자를 포함하며, 제1 전도성 입자의 은 함량은 제2 전도성 입자의 은 함량보다 낮음; 제1 슬러리를 개질 처리하여 제1 슬러리를 전송층으로 변환하는 단계, 여기서 시드층과 전송층은 함께 게이트 라인을 구성함;개질 처리 단계에서, 일부 제2 전도성 입자가 일부 제1 전도성 입자와 연결되어 전도성 연결부를 형성하고, 및/또는, 제1 전도성 입자가 내핵과 외층을 포함하는 경우, 일부 제2 전도성 입자가 일부 외층과 일체로 연결된 후 내핵과도 연결되어 전도성 연결부를 형성함으로써, 적어도 게이트 라인의 캐리어 수집 효율을 향상시키는 데 유리하다.
특허 원문 발췌
제목 :
중국) Photovoltaic cells and their manufacturing methods, stacked cells and photovoltaic modules
독립항 :
태양광 전지의 제조 방법으로서, 다음을 포함하는 것을 특징으로 한다: 제1 방향을 따라 서로 마주보는 두 표면면을 갖는 전지 기판을 제공하는 단계; 상기 표면 측 중 적어도 하나에 시드 층을 형성하는 단계; 상기 시드층이 형성된 상기 표면 측에 제1 슬러리를 도포하는 단계, 여기서 상기 제1 슬러리는 적어도 제1 전도성 입자와 제2 전도성 입자를 포함하며, 상기 제1 전도성 입자와 제2 전도성 입자 모두 은을 함유하고, 상기 제1 전도성 입자의 은 함량은 상기 제2 전도성 입자의 은 함량보다 낮음; 상기 제1 슬러리를 적어도 개질 처리하여 상기 제1 슬러리를 전송층으로 변환하는 단계, 여기서 상기 시드층과 상기 전송층은 함께 게이트 라인을 구성한다;상기 개질 처리 단계에서, 상기 제2 전도성 입자의 적어도 일부가 상기 제1 전도성 입자의 일부와 연결되어 전도성 연결부를 형성하고; 및/또는, 상기 제1 전도성 입자가 내핵과 상기 내핵 표면에 위치한 외층을 포함하며, 상기 제2 전도성 입자의 적어도 일부가 상기 외층의 일부와 일체로 연결된 후 상기 내핵과도 연결되어 상기 전도성 연결부를 형성하고; 상기 개질 처리는 제1 단계와 제2 단계를 포함하며, 제1 단계에서 제1 슬러리에 제공되는 에너지 밀도는 제2 단계에서 제1 슬러리에 제공되는 에너지 밀도보다 낮다.
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