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KETEP 세계에너지시장정보

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에너지원별 주요 특허

특허명 중국) Back contact solar cell, preparation method therefor, and photovoltaic module
국가 [중국]  출원인 LONGI GREEN ENERGY TECHNOLOGY CO LTD(CN)
우선권 번호 CN 2024-10773793 우선일 2024.06.17
출원번호 US 19-147792 출원일 2025.03.14
등록번호 US 12713733 B2 특허 등록일 2026.08.18
패밀리특허 US 2026-0123091 A1, WO (PCT/CN2025/082637), CN 2024-10773793 IPC H10F-077/14 H10F-019/90 H10F-077/70
산업구분 [태양에너지]  등록일 2026.09.14
후면접합(BC) 태양광 셀의 가장자리(엣지) 격리 구조에 관한 것으로, 기판 뒷면에 도핑 타입이 서로 반대인 제1 도핑층과 제2 도핑층을 교대로 배치하고 기판 가장자리와 각 도핑층 경계 사이에 격리 영역을 두되, 제2 도핑층은 기판과 같은 도핑 타입으로 한다. 핵심은 제1 도핑층(기판과 반대 타입, 에미터 측) 쪽 제1 격리 영역의 폭을 제2 도핑층 쪽 제2 격리 영역의 폭보다 넓게 설계하는 점으로, 이를 통해 가장자리에서 발생하는 누설 전류와 재결합 손실을 억제하면서 도핑층이 차지하는 유효 면적 손실을 최소화한다. 제조 방법과 이 셀을 적용한 태양광 모듈을 함께 청구하며, LONGi HPBC 계열 양산 BC 셀의 엣지 패시베이션·격리 설계와 직결되는 특허이다.
특허 원문 발췌
제목 :
중국) Back contact solar cell, preparation method therefor, and photovoltaic module
독립항 :
1. A back contact solar cell, comprising: a substrate, having a first surface and a second surface opposite to the first surface, wherein the substrate has an edge; and a first doped layer and a second doped layer, alternately arranged on the first surface, wherein a doping type of the first doped layer is opposite to a doping type of the second doped layer, and wherein the doping type of the second doped layer is the same as a doping type of the substrate, wherein a first isolation region is provided between the edge and a boundary of the first doped layer adjacent to the edge, a second isolation region is provided between the edge and a boundary of the second doped layer adjacent to the edge, wherein a width of at least a portion of the first isolation region is greater than a width of at least a portion of the second isolation region.
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