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에너지원별 주요 특허
| 특허명 | 미국) Methods for perovskite device processing by vapor transport deposition | ||
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| 국가 | [미국] | 출원인 | FIRST SOLAR, INC.(US) |
| 우선권 번호 | US 62/978,760 | 우선일 | 2020.02.19 |
| 출원번호 | US 18/906,018 | 출원일 | 2024.10.03 |
| 등록번호 | US 12595545 B2 | 특허 등록일 | 2026.04.07 |
| 패밀리특허 | PCT/US2021/018666, US 17/801,093 | IPC | H10K-030/40 H10K-071/16 C23C-014/06 H01G-009/20 | 산업구분 | [태양에너지] | 등록일 | 2026.09.14 |
페로브스카이트 흡수층은 고진공 공증착이나 스핀·스프레이 코팅 등 기존 공법으로는 대면적에서 균일한 두께와 치밀한 결정막을 얻기 어려워 양산이 제한되는 문제를 해결하기 위해, 기상수송증착(VTD)으로 금속 할라이드 전구체층과 페로브스카이트층을 형성하는 광전소자 제조용 중간 구조체와 방법에 관한 것이다. 중간 구조체는 기판 위 제1 전극과 제1 전하수송층으로 이루어진 기판 스택 위에 두께 100~2,000nm의 전구체층을 두며, 전구체층은 PbI2·CsI 등 다수의 금속 할라이드 결정립으로 구성되고 기판 면에 수직한 결정립 높이에 비해 평행 방향 평균 폭이 1/3 미만인 기둥형 결정 구조를 갖는다. 이러한 다공성(35~65%) 기둥형 전구체 결정 구조는 후속 유기 할라이드 증기와의 반응을 촉진해 폭 0.5~2m 대면적 기판에서도 두께 편차 30% 미만의 균일한 페로브스카이트 흡수층을 고속·저비용으로 형성할 수 있게 하며, 박막 태양광 모듈 양산 라인에 VTD 공정을 적용하는 First Solar의 페로브스카이트 상용화 기반 기술이다. 특허 원문 발췌
제목 :
미국) Methods for perovskite device processing by vapor transport deposition 독립항 :
1. An intermediate structure for a perovskite photovoltaic device, comprising: a substrate stack, comprising a first electrode over a substrate, and a first charge transport layer over the first electrode; and a precursor layer over the first charge transport layer; wherein: the precursor layer has a thickness in a range of 100 nm to 2000 nm, and the precursor layer comprises a plurality of metal halide crystal grain structures, wherein the crystal grain structures have a grain height, normal to a surface of the substrate stack, and a grain width, parallel to the surface of the substrate stack, and an average grain width is less than a third of an average grain height. |
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| 원문 링크 |
https://patents.justia.com/patent/12595545
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