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에너지원별 주요 특허
| 특허명 | 중국) Back contact solar cell, preparation method therefor, and photovoltaic module | ||
|---|---|---|---|
| 국가 | [중국] | 출원인 | LONGi Green Energy Technology Co., Ltd.(CN) |
| 우선권 번호 | CN 202310821921.3 | 우선일 | 2023.07.05 |
| 출원번호 | US 19/174,580 | 출원일 | 2025.04.09 |
| 등록번호 | US 12733265 B2 | 특허 등록일 | 2026.09.08 |
| 패밀리특허 | PCT/CN2024/103100 US 2025/0241072 A1 | IPC | H10F 10/14 H10F 71/00 H10F 77/14 | 산업구분 | [태양에너지] | 등록일 | 2026.10.26 |
실리콘 기판의 한쪽 면(제1표면)에 제1도전영역·제2도전영역과 그 사이의 절연영역을 두고, 제1표면에 형성한 홈(groove)의 텍스처 바닥을 제2도전영역, 홈의 측면을 절연영역으로 삼은 뒤 제1도전영역 위에 제1수송층을, 제2도전영역 위에 제2수송층을 배치하되 제2수송층이 절연영역을 거쳐 제1도전영역까지 연장돼 제1수송층을 부분적으로 덮고 절연영역 위 두께가 제2도전영역 위 두께보다 크며 제1도전영역 위 두께가 텍스처 구조 위 두께의 1.2~2배가 되도록 해 누설·단락을 억제하고 패시베이션과 캐리어 수집 효율을 높인 백콘택트(BC) 태양광 셀과 그 제조 방법·태양광 모듈임 특허 원문 발췌
제목 :
중국) Back contact solar cell, preparation method therefor, and photovoltaic module 독립항 :
1. A back contact solar cell, comprising: a silicon substrate, having a first surface, wherein the first surface comprises a first conductive region, a second conductive region, and an insulation region located between the first conductive region and the second conductive region, wherein the first surface is provided with a groove, wherein the second conductive region corresponds to a bottom of the groove that has a textured structure, and wherein the insulation region corresponds to a side surface of the groove; a first transport layer located on the first conductive region; and a second transport layer located on the second conductive region, wherein the second transport layer extends from the second conductive region through the insulation region to the first conductive region, and partially covers the first transport layer, wherein a thickness of a portion of the second transport layer located on the insulation region is greater than a thickness of a portion of the second transport layer located on the second conductive region, and wherein a thickness of a portion of the second transport layer located on the first conductive region is 1.2 to 2 times a thickness of a portion of the second transport layer located on the textured structure. |
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| 원문 링크 |
https://patents.justia.com/patent/12733265
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