세계에너지시장정보 통합검색
에너지뉴스
| 제목 | 대만) Czochralski 웨이퍼의 산소 결함을 줄이기 위한 새로운 기술 | ||
|---|---|---|---|
| 국가 | [대만] | 출처 | PV Magazine |
| 산업구분 | [태양에너지] | 등록일 | 2024.12.31 |
| 구분 | 기술 | ||
National Chin-Yi University of Technology의 연구원들은 Czochralski 실리콘 결정 성장 공정에서 산소 결함을 줄이기 위한 새로운 히터 설계를 제안함 이 설계는 산소 농도를 6ppm(parts per million)으로 낮출 수 있으며, 이는 결정의 품질을 향상시키는 데 중요한 역할을 함 이 연구는 실험과 시뮬레이션을 통해 검증되었으며, 히터 설계가 온도 분포와 용융 패턴에 미치는 영향을 분석함 기사 원문 발췌
제목 :
New tech to reduce oxygen defects in Czochralski wafers 발췌 내용 :
Research from the Chin-Yi University of Technology in Taiwan revealed a novel heater design in the Czochralski silicon crystal growth process that can control and decrease oxygen concentration without incurring the costs associated with other methods, such as installing magnets or using alternative crucible materials.
※ 본 정보는 게시일로부터 수정/변경될 수 있으므로, 정확한 내용은 아래 출처의 링크를 통해 확인하시기 바랍니다.
|
|||
| 원문 링크 | https://www.pv-magazine.com/2024/12/30/new-tech-to-reduce-oxygen-defects-in-czochralski-wafers/ | ||