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| 제목 | 독일) 프라운호퍼 ISE, III-V 태양광 모듈용 InP-on-GaAs 기판 개발 | ||
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| 국가 | [독일] | 출처 | PV Magazine |
| 산업구분 | [태양에너지] | 등록일 | 2025.05.23 |
| 구분 | 기술 | ||
독일 프라운호퍼 태양에너지 시스템 연구소(Fraunhofer ISE)는 인듐 인화물(InP)을 갈륨 비소(GaAs) 기판에 증착하는 새로운 기술을 개발하여 비용 절감과 확장성을 확보함 연구팀은 III/V-Reclaim과 협력하여 150mm 직경의 InP-on-GaAs 웨이퍼를 제작했으며, 표면 처리 후 결함 밀도가 낮고 광학적 특성이 우수함 이 기술은 기존 인듐 인화물 웨이퍼를 대체할 수 있으며, 고효율 태양광 전지 제조에 활용될 가능성이 높음 기사 원문 발췌
제목 :
Fraunhofer ISE developing InP-on-GaAs substrates for III-V solar cells 발췌 내용 :
Fraunhofer ISE researchers say their newly fabricated gallium arsenide substrates (InP-on-GaAs wafers) can replace prime indium phosphide wafers and offer a scalable pathway to lower costs.
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| 원문 링크 |
https://www.pv-magazine.com/2025/05/22/fraunhofer-ise-developing-inp-on-gaas-substrates-for-iii-v-solar-cells/
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