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에너지뉴스
| 제목 | 글로벌) 국제 연구팀, 안티몬 도핑 n형 실리콘 잉곳으로 태양광 모듈 강도 향상 | ||
|---|---|---|---|
| 국가 | [글로벌] | 출처 | PV Magazine |
| 산업구분 | [태양에너지] | 등록일 | 2025.11.06 |
| 구분 | 기술 | ||
호주국립대와 미국 NREL, 중국 LONGi 등이 참여한 국제 연구팀이 안티몬(Sb) 도핑 n형 초크랄스키(Cz) 실리콘 잉곳을 개발해 기존 인(P) 도핑 웨이퍼보다 균일한 저항률 분포와 더 높은 기계적 강도를 확보했으며, 이는 차세대 태양광 모듈의 수율 향상과 제조 비용 절감에 기여할 수 있는 잠재적 대안으로 평가됨 기사 원문 발췌
제목 :
Researchers develop antimony-doped n-type silicon ingots to enhance solar module mechanical strength 발췌 내용 :
An international team is proposing to use antimony-doped Czochralski-grown silicon as an alternative to n-type silicon for photovoltaic applications. Their analysis showed that 140 μm as-cut planar antimony-doped wafers exhibit slightly higher mechanical strength compared to common wafers doped with phosphorous.
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| 원문 링크 |
https://www.pv-magazine.com/2025/11/05/researchers-develop-antimony-doped-n-type-silicon-ingots-to-enhance-the-mechanical-strength-of-solar-modules/
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