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에너지뉴스
| 제목 | 영국) University of Oxford, 황화비스무트 유사직접 반도체로 전하 손실 75% 저감 규명 | ||
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| 국가 | [영국] | 출처 | Tech X Plore |
| 산업구분 | [태양에너지] | 등록일 | 2026.10.29 |
| 구분 | 기술 | ||
영국 University of Oxford 연구진이 Wuhan University와 함께 황화비스무트(Bi2S3)가 강한 광흡수와 느린 전자·정공 재결합을 함께 갖는 유사직접(pseudo-direct) 반도체임을 규명해 상온에서 동일 흡수 수준의 기존 소재 대비 전하 손실률을 약 75% 낮출 수 있다고 Nature에 발표했으며 소자 효율 실증은 전 단계임 기사 원문 발췌
제목 :
Semiconductors could sidestep a key solar-energy trade-off through a newly identified mechanism 발췌 내용 :
The team estimates that, at room temperature, this arrangement cuts the rate at which charges are lost by about 75% compared with conventional materials that absorb light as strongly.
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| 원문 링크 |
https://techxplore.com/news/2026-10-semiconductors-sidestep-key-solar-energy.html
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