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KETEP 세계에너지시장정보

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에너지원별 주요 특허

특허명 중국) Silicon solar cell and module
국가 [중국]  출원인 LONGI GREEN ENERGY TECHNOLOGY CO., LTD.(CN)
우선권 번호 CN 202410564554.8 우선일 2024.05.08
출원번호 US 19/124,103 출원일 2025.01.21
등록번호 US 12677502 B2 특허 등록일 2026.07.07
패밀리특허 US 2026/0114073 A1, PCT/CN2025/073536, CN 202410564554.8 IPC H10F-077/1223 H10F-010/174 H10F-077/30
산업구분 [태양에너지]  등록일 2026.10.19
안티몬(Sb) 원소를 포함하는 실리콘 기판 위에 캐리어 분리층을 형성한 실리콘 태양광 셀로, 캐리어 분리층 중 기판에 가까운 영역에 안티몬 함유층을 두고 그 농도가 기판에서 멀어질수록 감소하며 피크 농도가 1E13 atoms/cm3 이상이 되도록 설계함으로써 Sb 도핑 기판(갈륨·인 대체) 기반 셀의 계면 패시베이션과 캐리어 선택성을 확보하고, 캐리어 분리층을 도핑 반도체층·산화몰리브덴층·PEDOT:PSS층 중에서 선택하며 도핑 반도체층일 때는 기판과의 사이에 계면 패시베이션층을 두는 구조와 모듈을 제시함
특허 원문 발췌
제목 :
중국) Silicon solar cell and module
독립항 :
1. A silicon solar cell, comprising:
a silicon substrate comprising an antimony element; and
a carrier separation layer formed on the silicon substrate,
wherein at least some regions of the carrier separation layer on a side close to the silicon substrate have an antimony-containing layer, wherein the antimony-containing layer comprising the antimony element,
wherein a concentration of the antimony element in the antimony-containing layer of the carrier separation layer decreases in a direction from the side close to the silicon substrate to a side facing away from the silicon substrate,
wherein a peak concentration of the antimony element in the antimony-containing layer is a1, a1 being equal to or greater than 1E13 atoms/cm3,
wherein the carrier separation layer is selected from a doped semiconductor layer, a molybdenum oxide layer, or a PEDOT:PSS layer, and
wherein when the carrier separation layer is the doped semiconductor layer, the silicon solar cell comprises an interface passivation layer between the silicon substrate and the carrier separation layer.
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