세계 에너지시장 정보

제목	독일) 프라운호퍼 ISE, 갈륨 도핑 실리콘 웨이퍼의 LeTID 예측 위한 동역학 기반 모델 개발
국가	[독일]	출처	PV Magazine
산업구분	[태양에너지]	등록일	2025.09.02
구분	기술
독일 프라운호퍼 태양에너지시스템연구소가 갈륨 도핑 실리콘 웨이퍼의 빛 및 고온 유도 열화(LeTID)를 예측하기 위해 일시적 회복 효과의 동역학을 반영한 파라메트릭 모델을 개발하고, 다양한 온도와 소수 전하 캐리어 밀도 조건에서 수명 변화와 억제 메커니즘을 정량적으로 설명함 기사 원문 발췌 제목 : New model for LeTID prediction in gallium doped silicon wafers 발췌 내용 : Researchers at Fraunhofer Institute for Solar Energy Systems in Germany developed a predictive model for light and elevated temperature induced degradation in gallium-doped silicon wafer that includes the effects of temporary recovery. ※ 본 정보는 게시일로부터 수정/변경될 수 있으므로, 정확한 내용은 아래 출처의 링크를 통해 확인하시기 바랍니다.
원문 링크	https://www.pv-magazine.com/2025/09/01/new-model-for-letid-prediction-in-gallium-doped-silicon-wafers/ * 이 링크를 클릭하면 외부 사이트로 연결됩니다. 해당 사이트 연결로 발생될 수 있는 보안 문제(악성코드, 해킹 등)는 본 사이트에서 책임지지 않으므로, 안전한 환경에서 접속해 주세요.