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에너지뉴스
| 제목 | 독일) HZB, 염화세슘 시드층 적용해 진공 증착 페로브스카이트-실리콘 탠덤 셀 효율 30.3% 달성 | ||
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| 국가 | [독일] | 출처 | Tech X Plore |
| 산업구분 | [태양에너지] | 등록일 | 2026.08.27 |
| 구분 | 기술 | ||
독일 헬름홀츠 베를린 재료·에너지 연구소(HZB) 연구팀이 텍스처링된 실리콘 기판 위에 염화세슘(CsCl) 시드층을 도입하여 동시 진공 증착 페로브스카이트의 불균일한 성장과 요오드화납 결함을 억제함으로써, 용매를 사용하지 않는 진공 공정 기반 페로브스카이트-실리콘 탠덤 셀의 광전 변환 효율을 30.3%까지 향상시키는 데 성공함 기사 원문 발췌
제목 :
Cesium chloride seed layer helps vacuum-grown tandem solar cells reach 30.3% efficiency 발췌 내용 :
Scientists at HZB have analyzed film growth on the nanoscale at BESSY II and found a new way to improve the quality of the perovskite layer: Adding a thin seed layer of cesium chloride between the two subcells promotes uniform perovskite growth and suppresses the formation of undesired lead iodide at the interface.
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| 원문 링크 |
https://techxplore.com/news/2026-08-cesium-chloride-seed-layer-vacuum.html
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